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ZXMHC3A01N8
P-channel typical characteristics –continued
300
10
250
200
C ISS
V GS =0V
f =1MHz
8
6
I D =-1.4A
150
100
50
C OSS
C RSS
4
2
V DS =-15V
0
0.1
1
10
0
0
2
4
6
-V DS - Drain - Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Q - Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test circuits
Current
regulator
Q G
12V
0.2 F
50k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
Basic gate charge waveform
V DS
Gate charge test circuit
90%
10%
R G
V GS
R D
V DS
V DD
V GS
Pulse width
1 S
Duty factor 0.1%
t r
t (on)
t d(off)
t r
t (on)
t d(on)
Switching time waveforms
Switching time test circuit
Issue 1.0 - March 2009
? Diodes Incorporated
9
www.diodes.com
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